A Calculadora de Tensão de Dreno ajuda a determinar a tensão dreno-fonte (VDS) em um circuito de transistor de efeito de campo (FET). Ela calcula a queda de voltagem através dos terminais de dreno e fonte do transistor, com base nos valores de tensão de alimentação, corrente de dreno e resistência fornecidos. Este cálculo é essencial para projetar e analisar circuitos eletrônicos, garantindo níveis de tensão e desempenho adequados.
Calculadora de Fórmula de Tensão de Dreno
A tensão de dreno (VDS) é calculada usando a seguinte fórmula:
VDS = VDD - ID × (RD + RS)
Onde: VDS = Tensão dreno-fonte (V)
VDD = Tensão de alimentação (V)
ID = Corrente de dreno (A)
RD = Resistência ao dreno (Ω)
RS = Resistência da fonte (Ω)
Tabela de valores pré-calculados
Esta tabela fornece valores de tensão de dreno pré-calculados para parâmetros comumente usados, permitindo que os usuários encontrem resultados sem cálculos manuais.
| VDD (V) | ID (A) | RD (Ω) | RS (Ω) | VDS (V) |
|---|---|---|---|---|
| 12 | 0.5 | 10 | 5 | 4.5 |
| 15 | 1.0 | 8 | 4 | 3 |
| 18 | 0.8 | 12 | 6 | 3.6 |
| 24 | 1.5 | 5 | 3 | 13.5 |
| 30 | 2.0 | 10 | 5 | 10 |
Esta tabela serve como uma referência rápida para engenheiros e estudantes que trabalham com circuitos eletrônicos.
Exemplo de calculadora de tensão de dreno
Vamos considerar um exemplo onde:
- Tensão de alimentação (VDD) = 18V
- Corrente de dreno (ID) = 1.2A
- Resistência de drenagem (RD) = 6Ω
- Resistência da fonte (RS) = 4Ω
Usando a fórmula: VDS = 18 - 1.2 × (6 + 4) VDS = 18 - 1.2 × 10 VDS = 18 - 12 VDS = 6V
Portanto, a tensão dreno-fonte (VDS) é 6 V.
Perguntas frequentes mais comuns
A tensão de dreno (VDS) determina a região de operação de um transistor. Ela é crucial para garantir que o transistor funcione corretamente em aplicações de amplificação ou comutação.
Se a tensão de dreno for muito baixa, o transistor pode entrar em saturação, afetando seu desempenho e levando à operação ineficiente do circuito.
Esta fórmula se aplica principalmente a transistores de efeito de campo (FETs). Diferentes tipos de transistores podem exigir cálculos modificados com base nas configurações de seus circuitos.