マイクロストリップ幅計算ツールは、RF エンジニアにとって不可欠なツールです。基板材料の特性とマイクロストリップの物理的寸法に基づいて、特定の特性インピーダンス (Z0) を達成するために必要なマイクロストリップ伝送線路の幅 (W) を計算します。正確な幅計算は、RF 回路の高性能に不可欠な信号損失と反射を最小限に抑えるのに役立ちます。
マイクロストリップ幅計算式の計算式
マイクロストリップの幅は次の式で決定されます。
どこ：
- W はマイクロストリップ伝送線路の幅です。
- εr 基板材料の比誘電率であり、印加電圧下でその材料がどれだけの電気エネルギーを蓄えることができるかを示します。
- Z0 マイクロストリップ伝送線路の望ましい特性インピーダンスであり、線路に沿って信号がどのように伝送されるかに影響を与える重要なパラメータです。
- H は基板材料の高さであり、マイクロストリップの実効誘電率とインピーダンスに影響を与えます。
代表値表
計算ツールの使用を支援するために、関連するパラメーターの一般的な値を示した表を以下に示します。
| εr（誘電率） | Z0 (オーム) | H（mm）と | 計算上のW(mm) |
|---|---|---|---|
| 2.2 | 50 | 1.5 | 3.048 |
| 4.4 | 70 | 0.79 | 1.524 |
| 9.8 | 85 | 0.63 | 0.762 |
これらの値は、一般的な条件下でマイクロストリップを設計するための開始点となります。
マイクロストリップ幅計算機の例
次の仕様でマイクロストリップの幅を計算してみましょう。
- εr = 4.4
- Z0 = 50オーム
- 高さ＝1.5mm
式の使用：
W = (8 * 4.4 * e^(-1.64 * (50/pi)^0.125)) / (50 * (1 + 1.9 * (W/1.5)^1.5))
上式を計算すると、これらのパラメータに必要な幅 W がわかります。 εr、Z0、または H を調整して再計算すると、各パラメータに対するマイクロストリップ幅の感度がわかり、マイクロストリップの設計を微調整するのに役立ちます。
最も一般的な FAQ
マイクロストリップの幅は、その特性インピーダンスを決定するために非常に重要であり、信号の完全性と 電力 RF回路の転送。損失を最小限に抑え、信号反射の問題を回避するには、正確な幅の計算が不可欠です。
基板材料の誘電率 (εr) は単位あたりの静電容量に直接影響します。 長さ これはインピーダンスに影響を与え、したがって特定のインピーダンス レベルに必要なマイクロストリップの幅に影響します。
一般的な値には次のようなものがあります。
Z0 = 50 または 75 オーム、多くの RF アプリケーションの標準インピーダンス レベル。
εr の範囲は、密度の低い基板材料の場合は 2.2 から、セラミックなどの密度の高い材料の場合は 9.8 です。
H は、アプリケーションの物理的制約と動作周波数に応じて、通常 0.5 mm から 1.5 mm の間で変化します。