Die Per Wafer Calculator は、単一のシリコン ウェハから製造できる個別のダイ (チップ) の数を見積もるために半導体製造で使用される重要なツールです。 この計算は、ウェーハ利用率の最適化、製造コストの削減、歩留まりの向上に役立ちます。 効率 チップ製造プロセスにおけるウェハサイズ、ダイ寸法、エッジ損失を考慮することで、この計算機はウェハあたりのチップ生産量を正確に推定します。
ウェーハあたりのダイ数計算式
ウェーハあたりのダイの数は、次の式を使用して計算できます。
ここで、
- ウェーハ直径 シリコン ウェーハの合計直径であり、通常はミリメートル (mm) 単位で測定されます。
- エッジロスエリア プロセス上の制約により、ウェハの端付近の使用できない部分です。
- ダイエリア 個々のダイが占める面積であり、次のように計算されます。ダイ面積 = ダイ長さ × ダイ幅
この式は、物理的制限とプロセス制限を考慮しながら、ウェーハ上に収まるダイの数を推定します。
ウェーハあたりのダイ数参照表
以下は、さまざまなウェーハ サイズとダイ寸法に対するウェーハあたりのダイのおおよその数を示す参照表です。
| ウェーハ直径（mm） | ダイサイズ(mm) | エッジ損失面積（mm^2） | ウェーハあたりの推定ダイ数 |
|---|---|---|---|
| 150 | 5 x 5 | 100 | 1800 |
| 200 | 10 x 10 | 150 | 3100 |
| 300 | 15 x 15 | 200 | 6500 |
| 450 | 20 x 20 | 300 | 12500 |
これらの値は、半導体製造におけるウェハの歩留まりを見積もるための一般的な基準となります。
ウェーハあたりのダイ数計算機の例
半導体メーカーが300mmのウェハを使用して、ダイサイズが 10のミリメートル×10ミリメートル エッジ損失領域は 200mm²のウェハあたりのダイの数は次のように計算できます。
- ウェハ面積を計算します。 ウェーハ面積 = 円周率 × (300 / 2)^2 ウェーハ面積 = 3.1416 × (150)^2 ウェーハ面積 = 70685 mm²
- エッジ損失領域を減算します。 使用可能面積 = 70685 - 200 使用可能面積 = 70485 mm²
- ダイスの数を計算します。 ダイ面積 = 10 × 10 = 100 mm² ウェハあたりのダイ数 = 70485 / 100 ウェハあたりのダイ数 ≈ 705
したがって、およそ 705つのダイ 与えられたパラメータを使用して 300 mm ウェハから製造できます。
最も一般的な FAQ
ウェーハあたりのダイ数を計算することで、半導体メーカーは生産効率を最適化し、コストを削減し、歩留まり予測を向上させることができます。また、正確な価格設定と製造のスケーラビリティも確保できます。
エッジロスとは、ダイシングやハンドリングマージンといったプロセス上の制約により使用できないウェハー部分を指します。エッジロスが大きいほど、ウェハー1枚あたりの使用可能なダイ数は少なくなります。
はい、ダイ レイアウトとウェーハ処理の制約が考慮されていれば、ウェーハあたりのダイ数の計算は、CMOS、MEMS、ASIC 製造を含むほとんどの半導体製造プロセスに適用されます。