La calculadora de voltaje de drenador ayuda a determinar el voltaje drenador-fuente (VDS) en un circuito con transistor de efecto de campo (FET). Calcula el caída de voltaje a través de los terminales de drenaje y fuente del transistor, según la tensión de alimentación, la corriente de drenaje y los valores de resistencia dados. Este cálculo es esencial para diseñar y analizar circuitos electrónicos, garantizando niveles de tensión y un rendimiento adecuados.
Fórmula de la calculadora de voltaje de drenaje
El voltaje de drenaje (VDS) se calcula utilizando la siguiente fórmula:
VDS = VDD - ID × (RD + RS)
Dónde: VDS = Voltaje de drenaje a fuente (V)
VDD = Tensión de alimentación (V)
ID = Corriente de drenaje (A)
RD = Resistencia de drenaje (Ω)
RS = Resistencia de la fuente (Ω)
Tabla de valores precalculados
Esta tabla proporciona valores de voltaje de drenaje precalculados para parámetros comúnmente utilizados, lo que permite a los usuarios encontrar resultados sin cálculos manuales.
| VDD (V) | identificación (A) | RD (Ω) | RS (Ω) | VDS(V) |
|---|---|---|---|---|
| 12 | 0.5 | 10 | 5 | 4.5 |
| 15 | 1.0 | 8 | 4 | 3 |
| 18 | 0.8 | 12 | 6 | 3.6 |
| 24 | 1.5 | 5 | 3 | 13.5 |
| 30 | 2.0 | 10 | 5 | 10 |
Esta tabla sirve como referencia rápida para ingenieros y estudiantes que trabajan con circuitos electrónicos.
Ejemplo de calculadora de voltaje de drenaje
Consideremos un ejemplo donde:
- Tensión de alimentación (VDD) = 18 V
- Corriente de drenaje (ID) = 1.2 A
- Resistencia de drenaje (RD) = 6Ω
- Resistencia de fuente (RS) = 4Ω
Usando la fórmula: VDS = 18 - 1.2 × (6 + 4) VDS = 18 - 1.2 × 10 VDS = 18 - 12 VDS = 6V
Entonces, el voltaje de drenaje a fuente (VDS) es 6 V.
Preguntas frecuentes más comunes
La tensión de drenaje (VDS) determina la región de operación de un transistor. Es crucial para garantizar su correcto funcionamiento en aplicaciones de amplificación o conmutación.
Si el voltaje de drenaje es demasiado bajo, el transistor puede entrar en saturación, lo que afecta su rendimiento y genera un funcionamiento ineficiente del circuito.
Esta fórmula se aplica principalmente a los transistores de efecto de campo (FET). Los diferentes tipos de transistores pueden requerir cálculos modificados según la configuración de sus circuitos.